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九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司歡迎您參觀第十四屆半導(dǎo)體設(shè)備材料及核心部件展（CSEAC2026)，展會將于2026年8月31-9月2日在無錫太湖國際博覽中心召開，我司位于A6-769展位，公司帶去全新產(chǎn)品，本次展出的非接觸霍爾測試系統(tǒng)，基于微波霍爾原理，無需制備歐姆電極，實現(xiàn)晶圓無損檢測，可完成方塊電阻、載流子濃度、遷移率、導(dǎo)電類型測量，支持單點測試與晶圓Mapping面掃描，適配GaN、SiC、ITO透明導(dǎo)電薄膜等材料，解決傳統(tǒng)接觸式測試損傷樣品、接觸電阻干擾測量的痛點。同...

九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司近日獲得國家知識產(chǎn)權(quán)局授權(quán)的發(fā)明號ZL202310892456.7，名稱為“基于雙頻渦流耦合補(bǔ)償?shù)膶捔砍痰碗娮杪示A原位校準(zhǔn)方法”。該并非單純算法優(yōu)化或結(jié)構(gòu)微調(diào)，而是針對碳化硅襯底量產(chǎn)過程中長期存在的測量漂移問題，構(gòu)建了一套物理可溯源、工藝可嵌入、產(chǎn)線可復(fù)用的技術(shù)路徑。蘇州作為長三角集成電路裝備產(chǎn)業(yè)核心集聚區(qū)，擁有從設(shè)計、制造到檢測的完整生態(tài)鏈。園區(qū)內(nèi)多家第三代半導(dǎo)體企業(yè)反饋：6英寸碳化硅晶圓在拋光后電阻率分布非均勻性加劇，傳統(tǒng)單頻渦流儀在0.5...

非接觸方阻測試儀是一種利用電磁感應(yīng)或微波技術(shù)，在不直接接觸樣品表面的情況下評估薄膜或覆層電阻特性的儀器。它避免了機(jī)械探針可能造成的劃傷或污染，適用于脆弱或后續(xù)加工尚未完成的材料。非接觸方阻測試儀的工作原理：1.非接觸感應(yīng)儀器產(chǎn)生高頻電磁場，該場與待測薄膜中的載流子發(fā)生相互作用。感應(yīng)到的電流分布變化會反射波的幅度或相位上，進(jìn)而與材料的方阻特性關(guān)聯(lián)。2.信號處理接收端捕獲調(diào)制后的信號，通過濾波、解調(diào)和算法校準(zhǔn)，除去環(huán)境噪聲和探頭自身特性的影響。最終輸出的是與樣品電阻成比例的量值，...

我們九域半導(dǎo)體公司申請獲得了發(fā)明榮譽(yù)，摘要顯示，本發(fā)明公開了一種基于渦流法探頭的薄晶錠電阻率檢測方法，涉及半導(dǎo)體測量技術(shù)領(lǐng)域，解決了在部分情況下待測薄晶錠對應(yīng)電阻率的測量出現(xiàn)偏差的問題，包括對待測薄晶錠進(jìn)行電學(xué)檢測，分析得到待測薄晶錠的計算表面電阻率；基于待測薄晶錠的計算表面電阻率識別待測薄晶錠的薄晶錠種類，結(jié)合趨膚效應(yīng)計算待測薄晶錠的趨膚深度；設(shè)定多組與待測薄晶錠相似的對照薄晶錠，對多組對照薄晶錠進(jìn)行渦流法測試，基于測試結(jié)果計算對照薄晶錠的補(bǔ)償系數(shù)；基于補(bǔ)償系數(shù)計算擬合方程...

2026年semicon即將開幕，特邀你前來參觀交流，共賞行業(yè)新動態(tài)，期待您的到來！semicon/fpdchina2026將于3月25日在上海新國際博覽中心揭幕。記者在近日舉辦的新聞發(fā)布會上獲悉，作為全球規(guī)模大、規(guī)格最高的半導(dǎo)體“嘉年華”，本次展會將匯聚1500家展商、覆蓋超10萬平方米的展覽面積，成為觀察行業(yè)風(fēng)向、鏈接全球資源的重要窗口。九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司以下產(chǎn)品參展主要產(chǎn)品：非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低...

為推動寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用深度融合，第六屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議（APCSCRM2025）將于2025年11月25日-27日在河南鄭州盛大召開。會議將以“芯聯(lián)新世界，智啟源未來（WideBandgap,WiderFuture）”為主題，聚焦寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新，涵蓋裝備、材料、器件、封測、終端應(yīng)用等關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，深入探討其在電力電子、新能源、通信技術(shù)、智能交通等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司攜公司主要產(chǎn)品亮相會議，為碳化硅測試提供服務(wù)...

SiC調(diào)研書啟動調(diào)研??九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司已參與《2025碳化硅襯底與外延產(chǎn)業(yè)調(diào)研書》的編寫工作。為半導(dǎo)體事業(yè)貢獻(xiàn)力量！！！碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借耐高溫、耐高壓、高導(dǎo)熱等優(yōu)異物理特性，已成為新能源汽車、AI服務(wù)器、光伏儲能、5G通信等戰(zhàn)略領(lǐng)域的關(guān)鍵支撐材料。其熱導(dǎo)率高達(dá)490-500W/mK，是硅的3倍、陶瓷基板的2倍，寬禁帶特性使其在2000W高功率場景下仍能穩(wěn)定工作，成為破解"算力耗電困局。

作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈有影響力的專業(yè)展會之一，第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC2025）將于2025年9月4日至6日在無錫太湖國際博覽中心盛大召開。本屆展會規(guī)模再創(chuàng)新高，橫跨七大展館，設(shè)立五大核心展區(qū)——晶圓制造設(shè)備、封測設(shè)備、核心部件、材料及綜合展區(qū)，展覽總面積突破60000平方米，預(yù)計吸引1000余家企業(yè)參展，展示產(chǎn)業(yè)從設(shè)備、材料到核心零部件的技術(shù)突破與生態(tài)協(xié)同。九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司攜最新產(chǎn)品：12寸電阻率測試儀亮相發(fā)布。提高半導(dǎo)體國產(chǎn)化率，支持半...

2025年9月在無錫太湖國際博覽中心舉行的活動第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC2025）是2025年9月4日至6日在無錫太湖國際博覽中心舉辦的半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)I(yè)展會，以“專業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化、國際化”為宗旨。本屆展會設(shè)置晶圓制造設(shè)備、封測設(shè)備、核心部件及材料四大主題展區(qū)，展覽面積超60000平方米，吸引1000余家企業(yè)參展，展商數(shù)量同比增長超40%。展會規(guī)劃全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈合作論壇，匯聚22個國家和地區(qū)的150余家海外企業(yè)，同期舉辦專業(yè)論壇，涵蓋芯片制造、第三代半導(dǎo)體等...

2025年6月10—13日，光儲行業(yè)年度盛會——SNECPV&ES第十八屆（2025）國際太陽能光伏和智慧能源&儲能及電池技術(shù)與裝備（上海）大會暨展覽會（簡稱2025SNECPV&ES國際光伏&儲能大會）震撼開幕！18載風(fēng)雨同舟！國際化、專業(yè)化、規(guī)模化的展會等你來！2025SNECPV&ES國際光伏&儲能大會已走過了18年的風(fēng)雨路程。18年來，伴隨著光伏行業(yè)波瀾起伏，“SNECPV&ES光伏展覽會”規(guī)模從2007年第一屆的1.5萬平方米，發(fā)展到2025年38萬平方米，3000...