技術文章/ article
??霍爾遷移率（Hallmobility）是指?Hall系數RH與電導率?σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱，故特別稱為霍爾遷移率。?表示為μH=│RH│σ。?12霍爾遷移率μH實際上不一定等于載流子的電導遷移率μ，因為載流子的速度分布會影響到電導遷移率，所以只有在簡單情況（不考慮速度分布）下才有μH=μ?；魻栠w移率是測試射頻氮化鎵芯片使用?！疤蓟璧碾娮舆w移率是900，碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50，體遷移率是1000”看到這樣的介紹，或許你非常疑惑，為什么同一...
方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單位為Siements/sq，后增加歐姆/sq表征方式，該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，用于膜層測量又稱為膜層電阻。方塊電阻有一個特性，即任意大小的正方形測量值都是一樣的，不管邊長是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導電膜的厚度等因素有關，表征膜層致密性，同時表征對熱紅外光譜的透過能力，方塊電阻...
渦流法電阻率是一種非接觸式的測量方法，主要用于測量材料的電阻率而不會損傷被測物體的表面。?這種方法基于電磁感應原理，通過檢測材料中的渦流來評估其電阻率。渦流法電阻率測量技術的原理是：當交變電流通過導體時，會在其周圍產生一個交變磁場，這個磁場會在導體表面產生渦流。這些渦流會產生一個反作用磁場，通過探測這個反作用磁場，可以計算出材料的電阻率。這種方法具有無接觸、精度高、成本低、檢測速度快等優點，特別適用于惡劣環境下的測量?。渦流法電阻率測量技術的應用非常廣泛，包括半導體、化合物半...
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