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非接觸微波法霍爾遷移率高效測試模組

非接觸霍爾測試系統(微波式非接觸霍爾)是無需在樣品表面制作金屬歐姆接觸電極的半導體材料電學參數測試設備,區別于傳統四探針 / 接觸式霍爾;采用微波 + 磁場耦合原理,無損測試半導體外延片、薄膜材料的電學特性,廣泛用于第三代半導體(GaN、SiC)、ITO、石墨烯、二維材料的研發與產線質檢,可做單點測量與面掃描 mapping 測試。

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  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2026-09-12
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非接觸霍爾測試系統(微波式非接觸霍爾)是無需在樣品表面制作金屬歐姆接觸電極的半導體材料電學參數測試設備,區別于傳統四探針 / 接觸式霍爾;采用微波 + 磁場耦合原理,無損測試半導體外延片、薄膜材料的電學特性,廣泛用于第三代半導體(GaN、SiC)、ITO、石墨烯、二維材料的研發與產線質檢,可做單點測量與面掃描 mapping 測試。系統發射微波入射樣品表面,同時施加外磁場。樣品內載流子在磁場洛倫茲力作用下產生霍爾效應,改變微波的極化方向;系統接收反射回來的不同模式微波信號,通過信號解算,得到 ** 方塊電阻、載流子濃度、遷移率、導電類型(N/P 型)** 等關鍵參數,全程探頭不觸碰晶圓表面,無需制作電極。GaN、SiC 外延片、ITO、IZO、氧化鋅薄膜、石墨烯、碳納米管、透明導電薄膜等半導體薄膜材料,支持 4~8 英寸晶圓樣品。非接觸霍爾不損傷樣品、不污染晶圓,成品片

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